LPCVD （ Low Pressure Chemical Vapor Deposition ），低压化学气相沉积。在芯片制造中，低压化学气相沉积（LPCVD）广泛应用于创建各种薄膜，这些薄膜有不同的用途。LPCVD可以用来沉积氧化硅和氮化硅；也可以用来制造掺杂薄膜，以改变硅的导电性。
为什么使用低压条件：压力越低，Wafer内的uniformity越好。因为压力高的条件下，反应气体在wafer中间部位不容易扩散，压力低的条件下反应气体能足够的自由移动扩散。
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LPCVD沉积原理：
1.反应气体流入：使反应气体流入Tube，此时Tube内部应该是反应所需的低压状态，通常为0.25-1Torr；
2.反应物在表面传送：在低压状态下，反应物可以在Wafer表面自由移动；
3.反应物在基板表面附着；
4.反应物受热在Wafer表面发生化学反应得到生成物；
5.反应生成物以外的气体从表面脱离排走；
6反应生成物在表面累积形成film。
1.反应气体流入：使反应气体流入Tube，此时Tube内部应该是反应所需的低压状态，通常为0.25-1Torr；
2.反应物在表面传送：在低压状态下，反应物可以在Wafer表面自由移动；
3.反应物在基板表面附着；
4.反应物受热在Wafer表面发生化学反应得到生成物；
5.反应生成物以外的气体从表面脱离排走；
6反应生成物在表面累积形成film。
LPCVD机台分为立式与卧式。立式和卧式LPCVD是根据炉膛的方向或者称之为基片的放置方向而命名的两种常见的低压化学气相沉积（LPCVD）系统。这两种系统的主要区别在于基板的放置方式和气体的流动方式。在整个 20 世纪后期，许多 LPCVD 工艺都是在卧式热壁管式反应器中进行的，现在主要是立式炉。
卧式LPCVD机台
立式LPCVD机台
拉普拉斯半导体LPCVD系列机台
为什么使用低压条件：压力越低，Wafer内的uniformity越好。因为压力高的条件下，反应气体在wafer中间部位不容易扩散，压力低的条件下反应气体能足够的自由移动扩散。
